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Einfluss von Grenzflächenphänomenen auf die Funktion organischer Feldeffekttransistoren : Schlussbericht ; [Laufzeit: 01.04.2002 - 31.03.2006]

Name: Einfluss von Grenzflächenphänomenen auf die Funktion organischer Feldeffekttransistoren : Schlussbericht ; [Laufzeit: 01.04.2002 - 31.03.2006]
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Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden

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physics

feldeffekttransistor, elektrode, grenzfläche, elektronische eigenschaft, organischer halbleiter, physics, oberflächen, dünne schichten, grenzflächen (physik), halbleiterphysik

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Record · ID 129870
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