HAL (France)
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Épitaxie par jets moléculaires de nouveaux composants AlGaN sur silicium pour l'électronique de puissance haute tension
Les matériaux à bande interdite ultra-large suscitent un intérêt croissant afin de repousser les limites actuelles de l'électronique de puissance qui utilise essentiellement les matériaux silicium, carbure de silicium et nitrure de gallium. Parmi eux, l'alliage ternaire de nitrure d'aluminium et de
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