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Schlussbericht vom 05.08.2004 zum Thema: Materialmodifikation durch Implantation radioaktiver Isotope: Charakterisierung und Passivierung tiefer Störstellen in den wide-band-gap Halbleitern SiC und GaN, AIN und InN : bmb+f-Förderschwerpunkt Kondensierte Materie, Großgeräte der physikalischen Grundlagenforschung ; Förderzeitraum: 01.04.2001 - 30.06.2004

Friedrich-Schiller-Universität Jena, Institut für Festkörperphysik
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