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Activité et caractérisation des défauts liés aux précipités d'oxygène dans les substrats à haute résistivité pour technologies avancées
Silicon Substrate, 0, Haute resistivité, Deep Level Transient Spectroscopy - DLTS, Microélectronique, Precipitation, Spectroscopie des niveaux profonds, Photoluminescence
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Record · ID 378056
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