Repositório de Dados de Pesquisa da Unicamp Dataverse OAI Archive
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Avaliação e estudo de tecnologias de MOSFETs de Carbeto de Sílicio (SiC)
Os dados apresentados estão relacionados ao estudo de tecnologias de MOSFETs de Carbeto de Silício (SiC). Inicialmente, foi realizada uma comparação entre diferentes encapsulamentos de MOSFETs SiC, sendo eles: TO247-3, que não possui tecnologia Kelvin; TO247-4, que possui tecnologia Kelvin; e TO263-
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